Standard

МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110). / Кукушкин, Сергей Арсеньевич; Осипов, Андрей Викторович; Убыйвовк, Евгений Викторович; Осипова, Елена Владимировна; Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович.

в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 2024.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{1dc8cc37cb2147c49724f25ac12eae7a,
title = "МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110)",
author = "Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Осипов, {Андрей Викторович} and Убыйвовк, {Евгений Викторович} and Осипова, {Елена Владимировна} and Шарофидинов, {Шукрилло Шамсидинович}",
year = "2024",
language = "русский",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - МЕХАНИЗМ РОСТА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GA2O3 МЕТОДОМ ХЛОРИД-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ SIC/SI (110)

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

AU - Убыйвовк, Евгений Викторович

AU - Осипова, Елена Владимировна

AU - Шарофидинов, Шукрилло Шамсидинович

PY - 2024

Y1 - 2024

M3 - статья

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

ER -

ID: 127515078