Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. / Еремеев, Ю.А.; Воробьев, А.С.; Гращенко, А.С.; Семенча, А.В.; Осипов, А.В.; Кукушкин, С.А.
в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том 65, № 1, 2023, стр. 71.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si
AU - Еремеев, Ю.А.
AU - Воробьев, А.С.
AU - Гращенко, А.С.
AU - Семенча, А.В.
AU - Осипов, А.В.
AU - Кукушкин, С.А.
PY - 2023
Y1 - 2023
N2 - Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) n- и p-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) n-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si p-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si p- и n-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, упругие деформации, наноструктуры, эволюция микроструктуры.
AB - Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) n- и p-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) n-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si p-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si p- и n-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, упругие деформации, наноструктуры, эволюция микроструктуры.
UR - http://journals.ioffe.ru/articles/53925
M3 - статья
VL - 65
SP - 71
JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
SN - 0367-3294
IS - 1
ER -
ID: 100358528