Standard

Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. / Еремеев, Ю.А.; Воробьев, А.С.; Гращенко, А.С.; Семенча, А.В.; Осипов, А.В.; Кукушкин, С.А.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 65, No. 1, 2023, p. 71.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Еремеев, ЮА, Воробьев, АС, Гращенко, АС, Семенча, АВ, Осипов, АВ & Кукушкин, СА 2023, 'Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 65, no. 1, pp. 71.

APA

Еремеев, Ю. А., Воробьев, А. С., Гращенко, А. С., Семенча, А. В., Осипов, А. В., & Кукушкин, С. А. (2023). Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 65(1), 71.

Vancouver

Еремеев ЮА, Воробьев АС, Гращенко АС, Семенча АВ, Осипов АВ, Кукушкин СА. Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2023;65(1):71.

Author

Еремеев, Ю.А. ; Воробьев, А.С. ; Гращенко, А.С. ; Семенча, А.В. ; Осипов, А.В. ; Кукушкин, С.А. / Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2023 ; Vol. 65, No. 1. pp. 71.

BibTeX

@article{32fd2a8bb41946d28b2c615cce819d96,
title = "Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si",
abstract = "Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) n- и p-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) n-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si p-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si p- и n-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, упругие деформации, наноструктуры, эволюция микроструктуры.",
author = "Ю.А. Еремеев and А.С. Воробьев and А.С. Гращенко and А.В. Семенча and А.В. Осипов and С.А. Кукушкин",
year = "2023",
language = "русский",
volume = "65",
pages = "71",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Изменение упругих деформаций в плёнках SiC в процессе роста методом согласованного замещения атомов на подложках Si

AU - Еремеев, Ю.А.

AU - Воробьев, А.С.

AU - Гращенко, А.С.

AU - Семенча, А.В.

AU - Осипов, А.В.

AU - Кукушкин, С.А.

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) n- и p-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) n-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si p-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si p- и n-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, упругие деформации, наноструктуры, эволюция микроструктуры.

AB - Методами рентгеновской дифракции (XRD) и комбинационного рассеяния света (КРС) исследованы последовательные стадии синтеза в смеси газов монооксида углерода и силана, эпитаксиальных пленок SiC на поверхностях Si(111) n- и p-типов проводимости. Обнаружено, что в пленках SiC, выращенных на Si(111) n-типа в процессе синтеза упругие деформации практически отсутствуют, а в пленках, выращенных на подложках Si p-типа проводимости, формируются упругие деформации, полностью релаксирующие к 40 min синтеза. Обнаружено, что на 3 min роста происходит резкое изменение структуры пленки, что связано с образованием и ростом пор в слое SiC. Определены отличия в постоянных решеток пленок SiC, выращенных на подложках Si p- и n-типов проводимости, что подтверждено путем анализа изменения кривизны пластин SiC/Si. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, упругие деформации, наноструктуры, эволюция микроструктуры.

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/53925

M3 - статья

VL - 65

SP - 71

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 1

ER -

ID: 100358528