Standard

Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs. / Цырлин, Георгий Эрнстович; Резник, Родион Романович; Котляр, Константин Павлович; Сошников, Илья Петрович; Морозов, К.М.; Крестников, И.Л; Leandro, L; Akopian, N.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 47, № 8, 2021.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Цырлин, ГЭ, Резник, РР, Котляр, КП, Сошников, ИП, Морозов, КМ, Крестников, ИЛ, Leandro, L & Akopian, N 2021, 'Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 47, № 8. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715

APA

Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Котляр, К. П., Сошников, И. П., Морозов, К. М., Крестников, И. Л., Leandro, L., & Akopian, N. (2021). Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 47(8). https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715

Vancouver

Цырлин ГЭ, Резник РР, Котляр КП, Сошников ИП, Морозов КМ, Крестников ИЛ и пр. Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2021;47(8). https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715

Author

Цырлин, Георгий Эрнстович ; Резник, Родион Романович ; Котляр, Константин Павлович ; Сошников, Илья Петрович ; Морозов, К.М. ; Крестников, И.Л ; Leandro, L ; Akopian, N. / Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2021 ; Том 47, № 8.

BibTeX

@article{8111d9f791c14671bf2457a3770ad749,
title = "Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs",
abstract = "We present the results on experimental studies of the directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy technique on silicon surface. It was shown that the radiation intensity from GaAs quantum dots in the direction of nanowires growth is 2 orders of magnitude higher than the intensity of radiation in the perpendicular direction.Приводятся результаты экспериментальных исследований направленности излучения из квантовых точек GaAs в нитевидных нанокристаллах AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния. Показано, что интенсивность излучения из квантовых точек в направлении роста нитевидных нанокристаллов на два порядка превышает интенсивность излучения в перпендикулярном направлении. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, микрофотолюминесценция, направленное излучение.",
author = "Цырлин, {Георгий Эрнстович} and Резник, {Родион Романович} and Котляр, {Константин Павлович} and Сошников, {Илья Петрович} and К.М. Морозов and И.Л Крестников and L Leandro and N. Akopian",
year = "2021",
doi = "10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715",
language = "русский",
volume = "47",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Направленное излучение из квантовых точек GaAs в теле нитевидных нанокристаллов AlGaAs

AU - Цырлин, Георгий Эрнстович

AU - Резник, Родион Романович

AU - Котляр, Константин Павлович

AU - Сошников, Илья Петрович

AU - Морозов, К.М.

AU - Крестников, И.Л

AU - Leandro, L

AU - Akopian, N.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - We present the results on experimental studies of the directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy technique on silicon surface. It was shown that the radiation intensity from GaAs quantum dots in the direction of nanowires growth is 2 orders of magnitude higher than the intensity of radiation in the perpendicular direction.Приводятся результаты экспериментальных исследований направленности излучения из квантовых точек GaAs в нитевидных нанокристаллах AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния. Показано, что интенсивность излучения из квантовых точек в направлении роста нитевидных нанокристаллов на два порядка превышает интенсивность излучения в перпендикулярном направлении. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, микрофотолюминесценция, направленное излучение.

AB - We present the results on experimental studies of the directional radiation from GaAs quantum dots in AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy technique on silicon surface. It was shown that the radiation intensity from GaAs quantum dots in the direction of nanowires growth is 2 orders of magnitude higher than the intensity of radiation in the perpendicular direction.Приводятся результаты экспериментальных исследований направленности излучения из квантовых точек GaAs в нитевидных нанокристаллах AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния. Показано, что интенсивность излучения из квантовых точек в направлении роста нитевидных нанокристаллов на два порядка превышает интенсивность излучения в перпендикулярном направлении. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, молекулярно-пучковая эпитаксия, микрофотолюминесценция, направленное излучение.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/2b156b5b-6250-3ed5-928b-ffec81b4e0ba/

U2 - 10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715

DO - 10.21883/PJTF.2021.08.50855.18715

M3 - статья

VL - 47

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 8

ER -

ID: 88969530