Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100). / Лебедев , Михаил Вячеславович; Львова, Т.В.; Смирнов, Александр Николаевич; Давыдов , Валерий Юрьевич; Королева, Александра Владимировна; Жижин, Евгений Владимирович; Лебедев, Сергей Витальевич.
в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 56, № 7, 2022, стр. 659-666.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)
AU - Лебедев , Михаил Вячеславович
AU - Львова, Т.В.
AU - Смирнов, Александр Николаевич
AU - Давыдов , Валерий Юрьевич
AU - Королева, Александра Владимировна
AU - Жижин, Евгений Владимирович
AU - Лебедев, Сергей Витальевич
PY - 2022
Y1 - 2022
N2 - Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.
AB - Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.
KW - модификация поверхности
KW - СУЛЬФИДНАЯ ПАССИВАЦИЯ
KW - СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА
KW - фотолюминесценция
KW - РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
KW - SURFACE MODIFICATION
KW - SULFUR PASSIVATION,
KW - raman spectroscopy
KW - PHOTOLUMINESCENCE
KW - x-ray photoelectron spectroscopy
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49223514
UR - http://journals.ioffe.ru/articles/52756
M3 - статья
VL - 56
SP - 659
EP - 666
JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SN - 0015-3222
IS - 7
ER -
ID: 99692993