Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.