Standard

Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100). / Лебедев , Михаил Вячеславович; Львова, Т.В.; Смирнов, Александр Николаевич; Давыдов , Валерий Юрьевич; Королева, Александра Владимировна; Жижин, Евгений Владимирович; Лебедев, Сергей Витальевич.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 56, No. 7, 2022, p. 659-666.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Лебедев , МВ, Львова, ТВ, Смирнов, АН, Давыдов , ВЮ, Королева, АВ, Жижин, ЕВ & Лебедев, СВ 2022, 'Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 56, no. 7, pp. 659-666.

APA

Лебедев , М. В., Львова, Т. В., Смирнов, А. Н., Давыдов , В. Ю., Королева, А. В., Жижин, Е. В., & Лебедев, С. В. (2022). Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100). ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 56(7), 659-666.

Vancouver

Лебедев МВ, Львова ТВ, Смирнов АН, Давыдов ВЮ, Королева АВ, Жижин ЕВ et al. Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100). ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2022;56(7):659-666.

Author

Лебедев , Михаил Вячеславович ; Львова, Т.В. ; Смирнов, Александр Николаевич ; Давыдов , Валерий Юрьевич ; Королева, Александра Владимировна ; Жижин, Евгений Владимирович ; Лебедев, Сергей Витальевич. / Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100). In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2022 ; Vol. 56, No. 7. pp. 659-666.

BibTeX

@article{22f14d563e8340e9b38faca6bc9c456f,
title = "Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)",
abstract = "Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.",
keywords = "модификация поверхности, СУЛЬФИДНАЯ ПАССИВАЦИЯ, СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА, фотолюминесценция, РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, SURFACE MODIFICATION, SULFUR PASSIVATION,, raman spectroscopy, PHOTOLUMINESCENCE, x-ray photoelectron spectroscopy",
author = "Лебедев, {Михаил Вячеславович} and Т.В. Львова and Смирнов, {Александр Николаевич} and Давыдов, {Валерий Юрьевич} and Королева, {Александра Владимировна} and Жижин, {Евгений Владимирович} and Лебедев, {Сергей Витальевич}",
year = "2022",
language = "русский",
volume = "56",
pages = "659--666",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Взаимосвязь электронной и атомной структуры пассивированных поверхностей n-InP(100)

AU - Лебедев , Михаил Вячеславович

AU - Львова, Т.В.

AU - Смирнов, Александр Николаевич

AU - Давыдов , Валерий Юрьевич

AU - Королева, Александра Владимировна

AU - Жижин, Евгений Владимирович

AU - Лебедев, Сергей Витальевич

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.

AB - Электронная и атомная структуры обработанных различными сульфидными растворами поверхностей n-InP(100) исследовались с помощью методов фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что сульфидная обработка приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию на ней пассивирующего покрытия, состоящего из химических связей In-S, структура которых зависит от состава раствора и исходной атомной структуры поверхности полупроводника. Одновременно происходит возрастание интенсивности фотолюминесценции и сужение приповерхностной обедненной области. Атомная структура пассивирующего покрытия определяет суммарный дипольный момент, который в свою очередь модифицирует пространственное распределение потенциалов зон и, как следствие, электронную структуру поверхности.

KW - модификация поверхности

KW - СУЛЬФИДНАЯ ПАССИВАЦИЯ

KW - СПЕКТРОСКОПИИ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА

KW - фотолюминесценция

KW - РЕНТГЕНОВСКАЯ ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ

KW - SURFACE MODIFICATION

KW - SULFUR PASSIVATION,

KW - raman spectroscopy

KW - PHOTOLUMINESCENCE

KW - x-ray photoelectron spectroscopy

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=49223514

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/52756

M3 - статья

VL - 56

SP - 659

EP - 666

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 99692993