Standard

Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V. / Дубровский, Владимир Германович.

в: Письма в Журнал технической физики, Том 49, № 8, 2023, стр. 39-41.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Дубровский, ВГ 2023, 'Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V', Письма в Журнал технической физики, Том. 49, № 8, стр. 39-41. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

APA

Дубровский, В. Г. (2023). Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V. Письма в Журнал технической физики, 49(8), 39-41. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

Vancouver

Дубровский ВГ. Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V. Письма в Журнал технической физики. 2023;49(8):39-41. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

Author

Дубровский, Владимир Германович. / Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V. в: Письма в Журнал технической физики. 2023 ; Том 49, № 8. стр. 39-41.

BibTeX

@article{e2c5c54113794f9681b183aaeb572a67,
title = "Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V",
abstract = "Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III-V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III-V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.",
author = "Дубровский, {Владимир Германович}",
year = "2023",
doi = "10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512",
language = "русский",
volume = "49",
pages = "39--41",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III−V

AU - Дубровский, Владимир Германович

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III-V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III-V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.

AB - Исследованы лимитирующие факторы скорости роста ступени при эпитаксии полупроводниковых соединений III-V. Модель, основанная на двух связанных диффузионных уравнениях для адатомов групп III и V, применима для исследования как планарных слоев, так и наноструктур различного типа (включая III-V нитевидные нанокристаллы). Получено выражение для скорости роста ступени и найден физический параметр, значение которого определяет лимитированные кинетикой элементов группы III или V режимы роста. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, поверхностная диффузия адатомов, десорбция, скорость роста ступени.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/15d35f31-1ad2-3ee9-89c0-2e66cfbc5039/

U2 - 10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

DO - 10.21883/PJTF.2023.08.55137.19512

M3 - статья

VL - 49

SP - 39

EP - 41

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 8

ER -

ID: 107027068