Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. / Пастор, А.А.; Прохорова, У.В.; Сердобинцев, П.Ю.; Чалдышев, В.В.; Яговкина, М.А.
в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 47, № 8, 2013, стр. 1144-1148.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре
AU - Пастор, А.А.
AU - Прохорова, У.В.
AU - Сердобинцев, П.Ю.
AU - Чалдышев, В.В.
AU - Яговкина, М.А.
PY - 2013
Y1 - 2013
N2 - Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.
AB - Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.
M3 - статья
VL - 47
SP - 1144
EP - 1148
JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SN - 0015-3222
IS - 8
ER -
ID: 5644717