Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

Standard

Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. / Пастор, А.А.; Прохорова, У.В.; Сердобинцев, П.Ю.; Чалдышев, В.В.; Яговкина, М.А.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 47, No. 8, 2013, p. 1144-1148.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Author

Пастор, А.А. ; Прохорова, У.В. ; Сердобинцев, П.Ю. ; Чалдышев, В.В. ; Яговкина, М.А. / Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2013 ; Vol. 47, No. 8. pp. 1144-1148.

BibTeX

@article{cfd5acfeb1424164a958c472736cfb81,

title = "Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре",

abstract = "Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.",

author = "А.А. Пастор and У.В. Прохорова and П.Ю. Сердобинцев and В.В. Чалдышев and М.А. Яговкина",

year = "2013",

language = "русский",

volume = "47",

pages = "1144--1148",

journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние отжига на время жизни неравновесных носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре

AU - Пастор, А.А.

AU - Прохорова, У.В.

AU - Сердобинцев, П.Ю.

AU - Чалдышев, В.В.

AU - Яговкина, М.А.

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.

AB - Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.

M3 - статья

VL - 47

SP - 1144

EP - 1148

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 8

ER -

ID: 5644717