Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.