• А.А. Пастор
  • У.В. Прохорова
  • П.Ю. Сердобинцев
  • В.В. Чалдышев
  • М.А. Яговкина
Исследовались образцы GaAs, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой тем- пературе Часть образцов была дополнительно подвергнута послеростовому отжигу при 600◦C. С помощью оригинальной схемы измерения динамического изменения коэффициента преломления света, было определено время жизни неравновес- ных носителей заряда, которое до отжига оказалось равным(275±30)фс.
Original languageRussian
Pages (from-to)1144-1148
JournalФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Volume47
Issue number8
StatePublished - 2013

ID: 5644717