Standard

Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe. / Агекян, Вадим Фадеевич; Вербин, Сергей Юрьевич; Серов, Алексей Юрьевич; Философов, Николай Глебович; Штром, Игорь Викторович.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 59, № 7, 01.12.2025.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Агекян, ВФ, Вербин, СЮ, Серов, АЮ, Философов, НГ & Штром, ИВ 2025, 'Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том. 59, № 7. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.07.61999.7841

APA

Агекян, В. Ф., Вербин, С. Ю., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., & Штром, И. В. (2025). Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 59(7). https://doi.org/10.61011/FTP.2025.07.61999.7841

Vancouver

Агекян ВФ, Вербин СЮ, Серов АЮ, Философов НГ, Штром ИВ. Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2025 Дек. 1;59(7). https://doi.org/10.61011/FTP.2025.07.61999.7841

Author

Агекян, Вадим Фадеевич ; Вербин, Сергей Юрьевич ; Серов, Алексей Юрьевич ; Философов, Николай Глебович ; Штром, Игорь Викторович. / Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe. в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2025 ; Том 59, № 7.

BibTeX

@article{f1512ec96b5c4b388d8652d754d1e440,
title = "Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe",
abstract = "В спектрах люминесценции объемных полупроводников и полупроводниковых гетероструктур при низких температурах и невысоких уровнях оптического возбуждения проявляются лишь переходы, связанные с нижайшими электронными уровнями. Информацию об энергиях возбужденных уровней можно получить из спектров возбуждения люминесценции (СВЛ), которые иногда называют спектрами псевдопоглощения (pseudoabsorption). При изучении гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) СВЛ, как правило, регистрируются в подбарьерной области спектра, где расположены дискретные возбужденные уровни КЯ [1, 2]. Представляет интерес исследование СВЛ КЯ, а также барьерного слоя при надбарьерном возбуждении, это дает информацию о вкладе экситонов и свободных носителей в процесс релаксации возбуждения в зависимости от строения гетероструктуры и температуры. ",
author = "Агекян, {Вадим Фадеевич} and Вербин, {Сергей Юрьевич} and Серов, {Алексей Юрьевич} and Философов, {Николай Глебович} and Штром, {Игорь Викторович}",
year = "2025",
month = dec,
day = "1",
doi = "10.61011/FTP.2025.07.61999.7841",
language = "русский",
volume = "59",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Исследование температурной зависимости вклада экситонов и свободных носителей в люминесценцию гетероструктуры CdTe/CdMgTe

AU - Агекян, Вадим Фадеевич

AU - Вербин, Сергей Юрьевич

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Философов, Николай Глебович

AU - Штром, Игорь Викторович

PY - 2025/12/1

Y1 - 2025/12/1

N2 - В спектрах люминесценции объемных полупроводников и полупроводниковых гетероструктур при низких температурах и невысоких уровнях оптического возбуждения проявляются лишь переходы, связанные с нижайшими электронными уровнями. Информацию об энергиях возбужденных уровней можно получить из спектров возбуждения люминесценции (СВЛ), которые иногда называют спектрами псевдопоглощения (pseudoabsorption). При изучении гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) СВЛ, как правило, регистрируются в подбарьерной области спектра, где расположены дискретные возбужденные уровни КЯ [1, 2]. Представляет интерес исследование СВЛ КЯ, а также барьерного слоя при надбарьерном возбуждении, это дает информацию о вкладе экситонов и свободных носителей в процесс релаксации возбуждения в зависимости от строения гетероструктуры и температуры.

AB - В спектрах люминесценции объемных полупроводников и полупроводниковых гетероструктур при низких температурах и невысоких уровнях оптического возбуждения проявляются лишь переходы, связанные с нижайшими электронными уровнями. Информацию об энергиях возбужденных уровней можно получить из спектров возбуждения люминесценции (СВЛ), которые иногда называют спектрами псевдопоглощения (pseudoabsorption). При изучении гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) СВЛ, как правило, регистрируются в подбарьерной области спектра, где расположены дискретные возбужденные уровни КЯ [1, 2]. Представляет интерес исследование СВЛ КЯ, а также барьерного слоя при надбарьерном возбуждении, это дает информацию о вкладе экситонов и свободных носителей в процесс релаксации возбуждения в зависимости от строения гетероструктуры и температуры.

U2 - 10.61011/FTP.2025.07.61999.7841

DO - 10.61011/FTP.2025.07.61999.7841

M3 - статья

VL - 59

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 141922179