В спектрах люминесценции объемных полупроводников и полупроводниковых гетероструктур при низких температурах и невысоких уровнях оптического возбуждения проявляются лишь переходы, связанные с нижайшими электронными уровнями. Информацию об энергиях возбужденных уровней можно получить из спектров возбуждения люминесценции (СВЛ), которые иногда называют спектрами псевдопоглощения (pseudoabsorption). При изучении гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) СВЛ, как правило, регистрируются в подбарьерной области спектра, где расположены дискретные возбужденные уровни КЯ [1, 2]. Представляет интерес исследование СВЛ КЯ, а также барьерного слоя при надбарьерном возбуждении, это дает информацию о вкладе экситонов и свободных носителей в процесс релаксации возбуждения в зависимости от строения гетероструктуры и температуры.