1. 2009
  2. Электролюминесценция в структурах кремний-диэлектрик в красной области спектра Electroluminescence of silicon-insulator structures in red branches of spectra

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А., Петров, Ю. В. & Тимофеева, К. А., 2009, в: ИЗВЕСТИЯ РОССИЙСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПЕДАГОГИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИМ. А.И. ГЕРЦЕНА. 79, стр. 128-133

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  3. Электролюминесценция твердотельных слоистых структур на основе кремния.

    Барабан, А. П., Дмитриев, В. А. & Петров, Ю. В., 2009, Издательство Санкт-Петербургского университета. 195 стр.

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборникикнига, в т.ч. монография, учебникнаучная

  4. 2008
  5. Charge state of luminescence centers in the Si-SiO2 structures subjected to sequential implantation with silicon and carbon ions

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 дек 2008, в: Semiconductors. 42, 13, стр. 1515-1518 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. 2007
  7. Application of incubation time approach to simulate dynamic crack propagation

    Bratov, V. & Petrov, Y., 2007, в: International Journal of Fracture. 146, 1-2, стр. 53-60 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2007, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 3, стр. 18-22

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  9. 2006
  10. Electroluminescence of Si-SiO2 structures subjected to sequential ion implantation with silicon and carbon

    Baraban, A. P. & Petrov, Y. V., 1 мая 2006, в: Physics of the Solid State. 48, 5, стр. 966-968 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО ИМПЛАНТИРОВАННЫХ КРЕМНИЕМ И УГЛЕРОДОМ

    Барабан, А. П. & Петров, Ю. В., 2006, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 5, стр. 909-911

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , СОДЕРЖАЩИХ ИЗБЫТОЧНЫЙ КРЕМНИЙ

    Барабан, А. П., Петров, Ю. В. & Сазонов, С. Г., 2006, в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА. 2, стр. 3-8

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья

  13. 2004
  14. The Effect of Annealing on the Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 фев 2004, в: Technical Physics Letters. 30, 2, стр. 85-87 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  15. The Electroluminescence of SiO2 Layers with Excess Silicon

    Baraban, A. P., Egorov, D. V., Petrov, Y. V. & Miloglyadova, L. V., 1 янв 2004, в: Technical Physics Letters. 30, 1, стр. 40-41 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхОбзорная статьяРецензирование

Назад 1...10 11 12 13 14 Далее

ID: 200801