1. 2000
  2. Understanding electroluminescence from thin silicon dioxide films

    Baraban, A. P., Semykina, E. A. & Vaniouchov, M. B., 1 июн 2000, в: Semiconductor Science and Technology. 15, 6, стр. 546-550 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Hydrogen permeability of amorphous and recrystallized iron alloys

    Evard, E. A., Sidorov, N. I. & Gabis, I. E., мар 2000, в: Technical Physics. 45, 3, стр. 377-379 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Cross-sectional electron-beam-induced current analysis of the passivation of extended defects in cast multicrystalline silicon by remote hydrogen plasma treatment

    Vyvenko, O. F., Krüger, O. & Kittler, M., 7 фев 2000, в: Applied Physics Letters. 76, 6, стр. 697-699 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Effect of ultraviolet irradiation on the charge state of ion-implanted silicon-silicon dioxide structures

    Baraban, A. P. & Malyavka, L. V., 1 янв 2000, в: Technical Physics Letters. 26, 2, стр. 159-160 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electroluminescence of ion-implanted Si-SiO2 structures

    Baraban, A. P., Konorov, P. P., Malyavka, L. V. & Troshikhin, A. G., 1 янв 2000, в: Technical Physics. 45, 8, стр. 1042-1044 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Extension of hydrogen passivation of intragrain defects and grain boundaries in cast multicrystalline silicon

    Krüger, O., Seifert, W., Kittler, M. & Vyvenko, O. F., 1 янв 2000, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 222, 1, стр. 367-378 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Kinetics of sorption and release of hydrogen by nanoporous carbon

    Evard, E. A., Voit, A. P., Gordeev, S. K. & Gabis, I. E., 1 янв 2000, в: Materials Science. 36, 4, стр. 499-505 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Dynamic localization of inner-shell excitations in free atomic and molecular clusters

    Pavlychev, A. A. & Ruehl, E., 2000, в: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 106, 2,3, стр. 207-220 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Forming of thin layers on a basis of narrow-gap CdHgTe in the semiconductor-electrolyte systems.

    Яфясов, А. А. М., 2000.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  11. Landau levels in surface quantum well on gapless HgMnTe

    Яфясов, А. А. М., 2000.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

ID: 31041