1. 2001
  2. Depth profiling of the recombination activity of defects measured by temperature-dependent cross-sectional EBIC

    Vyvenko, O., Krüger, O. & Kittler, M., 1 янв 2001, в: Solid State Phenomena. 78-79, стр. 65-72 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Spatial and Temporal Self-organization in Semiconductor-Electrolyte Systems

    Bozhevol'nov, V. B., Konorov, P. P. & Yafyasov, A. M., 1 янв 2001, в: Inorganic Materials. 37, 1, стр. 1-4 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Two-dimensional electron gas in semimagnetic semiconductor HgMnTe with inverted bands

    Bogevolnov, V. B., Ivankiv, I. M., Yafyasov, A. M. & Radantsev, V. F., 1 янв 2001, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 92, 1, стр. 135-145

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Zero-field spin splitting in HgTe surface quantum well

    Radantsev, V. F., Yafyasov, A. M., Bogevolnov, V. B., Ivankiv, I. M. & Shevchenko, O. Y., 1 янв 2001, в: Surface Science. 482-485, PART 2, стр. 989-993 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. About scattering on the ring.

    Bogevolnov, V. B., Mikhailova, A. B., Pavlov, B. S. & Yafyasov, A. M., 2001, Operator Theory: Advances and Applications. стр. 155–173

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике › научная › Рецензирование

  7. Dynamic stabilization in 1sigma_u -->1pi_g-excited nitrogen clusters

    Flesch, R., Pavlychev, A. A., Neville, J. J., Blumberg, J., Ruhlmann, M., Tappe, W., Senf, F., Scwarzkopf, O., Hitchcock, A. P. & Ruehl, E., 2001, в: Physical Review Letters. 86, стр. 3767 - 3770 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electrochemical modification of CdHgTe surface and simulataneous control of electrophysical properties.

    Яфясов, А. А. М., 2001.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  9. New Tecnology for the Control of Narrow-Gap Semiconductor materials.

    Яфясов, А. А. М., 2001.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  10. Observation of 1D-conductivity at room temperature.

    Яфясов, А. А. М., 2001.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  11. Parameters of band structure in surface layers of the zero- gap semiconductor HgSe at room temperature

    Яфясов, А. А. М., 2001.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

ID: 31041