Standard
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. / Никифоров, Константин Аркадьевич; Егоров, Николай Васильевич; Соколов, Иван Александрович; Стребко, Валерий Андреевич; Михайловский, Владимир Юрьевич; Данилов, Денис Васильевич; Голубков, Владимир; Ильин, Владимир; Иванов, Алексей.
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021. 9600708.
Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review
Harvard
Никифоров, КА, Егоров, НВ, Соколов, ИА, Стребко, ВА, Михайловский, ВЮ, Данилов, ДВ, Голубков, В, Ильин, В & Иванов, А 2021,
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. in
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021., 9600708, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC, Лион, France,
5/07/21.
https://doi.org/10.1109/ivnc52431.2021.9600708
APA
Никифоров, К. А., Егоров, Н. В., Соколов, И. А., Стребко, В. А., Михайловский, В. Ю., Данилов, Д. В., Голубков, В., Ильин, В., & Иванов, А. (2021).
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. In
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021 [9600708] Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
https://doi.org/10.1109/ivnc52431.2021.9600708
Vancouver
Author
Никифоров, Константин Аркадьевич ; Егоров, Николай Васильевич ; Соколов, Иван Александрович ; Стребко, Валерий Андреевич ; Михайловский, Владимир Юрьевич ; Данилов, Денис Васильевич ; Голубков, Владимир ; Ильин, Владимир ; Иванов, Алексей. /
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021.
BibTeX
@inproceedings{0d115b098186405994a24057ecd73ae0,
title = "Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA",
author = "Никифоров, {Константин Аркадьевич} and Егоров, {Николай Васильевич} and Соколов, {Иван Александрович} and Стребко, {Валерий Андреевич} and Михайловский, {Владимир Юрьевич} and Данилов, {Денис Васильевич} and Владимир Голубков and Владимир Ильин and Алексей Иванов",
year = "2021",
doi = "10.1109/ivnc52431.2021.9600708",
language = "English",
isbn = "978-1-6654-2590-2",
booktitle = "34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021",
publisher = "Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.",
address = "United States",
note = "null ; Conference date: 05-07-2021 Through 09-07-2021",
}
RIS
TY - GEN
T1 - Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA
AU - Никифоров, Константин Аркадьевич
AU - Егоров, Николай Васильевич
AU - Соколов, Иван Александрович
AU - Стребко, Валерий Андреевич
AU - Михайловский, Владимир Юрьевич
AU - Данилов, Денис Васильевич
AU - Голубков, Владимир
AU - Ильин, Владимир
AU - Иванов, Алексей
PY - 2021
Y1 - 2021
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/af24ba72-19da-3bdc-adaa-75c8b2cbb6d0/
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/af24ba72-19da-3bdc-adaa-75c8b2cbb6d0/
U2 - 10.1109/ivnc52431.2021.9600708
DO - 10.1109/ivnc52431.2021.9600708
M3 - Conference contribution
SN - 978-1-6654-2590-2
BT - 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021
PB - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Y2 - 5 July 2021 through 9 July 2021
ER -
