Standard
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. / Никифоров, Константин Аркадьевич; Егоров, Николай Васильевич; Соколов, Иван Александрович; Стребко, Валерий Андреевич; Михайловский, Владимир Юрьевич; Данилов, Денис Васильевич; Голубков, Владимир; Ильин, Владимир; Иванов, Алексей.
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021. 9600708.
Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование
Harvard
Никифоров, КА, Егоров, НВ, Соколов, ИА, Стребко, ВА, Михайловский, ВЮ, Данилов, ДВ, Голубков, В, Ильин, В & Иванов, А 2021,
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. в
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021., 9600708, Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC, Лион, Франция,
5/07/21.
https://doi.org/10.1109/ivnc52431.2021.9600708
APA
Никифоров, К. А., Егоров, Н. В., Соколов, И. А., Стребко, В. А., Михайловский, В. Ю., Данилов, Д. В., Голубков, В., Ильин, В., & Иванов, А. (2021).
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. в
34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021 [9600708] Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc..
https://doi.org/10.1109/ivnc52431.2021.9600708
Vancouver
Author
Никифоров, Константин Аркадьевич ; Егоров, Николай Васильевич ; Соколов, Иван Александрович ; Стребко, Валерий Андреевич ; Михайловский, Владимир Юрьевич ; Данилов, Денис Васильевич ; Голубков, Владимир ; Ильин, Владимир ; Иванов, Алексей. /
Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA. 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 2021.
BibTeX
@inproceedings{0d115b098186405994a24057ecd73ae0,
title = "Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA",
author = "Никифоров, {Константин Аркадьевич} and Егоров, {Николай Васильевич} and Соколов, {Иван Александрович} and Стребко, {Валерий Андреевич} and Михайловский, {Владимир Юрьевич} and Данилов, {Денис Васильевич} and Владимир Голубков and Владимир Ильин and Алексей Иванов",
year = "2021",
doi = "10.1109/ivnc52431.2021.9600708",
language = "English",
isbn = "978-1-6654-2590-2",
booktitle = "34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021",
publisher = "Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.",
address = "United States",
note = "null ; Conference date: 05-07-2021 Through 09-07-2021",
}
RIS
TY - GEN
T1 - Using high aspect ratio AFM probe for digital twin development of SiC FEA
AU - Никифоров, Константин Аркадьевич
AU - Егоров, Николай Васильевич
AU - Соколов, Иван Александрович
AU - Стребко, Валерий Андреевич
AU - Михайловский, Владимир Юрьевич
AU - Данилов, Денис Васильевич
AU - Голубков, Владимир
AU - Ильин, Владимир
AU - Иванов, Алексей
PY - 2021
Y1 - 2021
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/af24ba72-19da-3bdc-adaa-75c8b2cbb6d0/
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/af24ba72-19da-3bdc-adaa-75c8b2cbb6d0/
U2 - 10.1109/ivnc52431.2021.9600708
DO - 10.1109/ivnc52431.2021.9600708
M3 - Conference contribution
SN - 978-1-6654-2590-2
BT - 34th International Vacuum Nanoelectronics Conference, IVNC 2021
PB - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
Y2 - 5 July 2021 through 9 July 2021
ER -
