Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья
Electroluminescence spectra of Si-implanted Si-SiO2 structures have been investigated. After implantation the samples were annealed in N2 at 1100 ºC. Two new electroluminescence bands at 2,7 eV and 4,3 eV were observed. These peaks can be attributed to the formation of the oxygen deficiency centers, such as two-fold coordinated silicon. The new peak at 1,6 eV
Переведенное название | Electroluminescence of Si-SiO 2 Structures Containing Excess Silicon |
---|---|
Язык оригинала | русский |
Страницы (с-по) | 3-8 |
Журнал | ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА |
Номер выпуска | 2 |
Состояние | Опубликовано - 2006 |
ID: 5250485