Research output: Contribution to journal › Article
ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , СОДЕРЖАЩИХ ИЗБЫТОЧНЫЙ КРЕМНИЙ. / Барабан, Александр Петрович; Петров, Юрий Владимирович; Сазонов, Сильвестр Георгиевич.
In: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА, No. 2, 2006, p. 3-8.Research output: Contribution to journal › Article
}
TY - JOUR
T1 - ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ СТРУКТУР SI-SIO 2 , СОДЕРЖАЩИХ ИЗБЫТОЧНЫЙ КРЕМНИЙ
AU - Барабан, Александр Петрович
AU - Петров, Юрий Владимирович
AU - Сазонов, Сильвестр Георгиевич
PY - 2006
Y1 - 2006
N2 - Изучена электролюминесценция структур Si-SiO2, подвергнутых ионной имплантации кремния в окисный слой с энергией 150 кэВ и дозами от 5·1016 см-2 до 3·1017 см-2, а также постимплантационному отжигу в атмосфере N2 при температуре 1100 °C. Показано появление в результате ионной имплантации двух полос в спектре электролюминесценции с энергиями 2,7 эВ и 4,3 эВ, которые, по-видимому, связаны с двухкоординированным по кислороду кремнием. В результате отжига в спектре появляется полоса с энергией 1,6 эВ, которую можно связать с образованием кластеров кремния в окисном слое.Electroluminescence spectra of Si-implanted Si-SiO2 structures have been investigated. After implantation the samples were annealed in N2 at 1100 ºC. Two new electroluminescence bands at 2,7 eV and 4,3 eV were observed. These peaks can be attributed to the formation of the oxygen deficiency centers, such as two-fold coordinated silicon. The new peak at 1,6 eV
AB - Изучена электролюминесценция структур Si-SiO2, подвергнутых ионной имплантации кремния в окисный слой с энергией 150 кэВ и дозами от 5·1016 см-2 до 3·1017 см-2, а также постимплантационному отжигу в атмосфере N2 при температуре 1100 °C. Показано появление в результате ионной имплантации двух полос в спектре электролюминесценции с энергиями 2,7 эВ и 4,3 эВ, которые, по-видимому, связаны с двухкоординированным по кислороду кремнием. В результате отжига в спектре появляется полоса с энергией 1,6 эВ, которую можно связать с образованием кластеров кремния в окисном слое.Electroluminescence spectra of Si-implanted Si-SiO2 structures have been investigated. After implantation the samples were annealed in N2 at 1100 ºC. Two new electroluminescence bands at 2,7 eV and 4,3 eV were observed. These peaks can be attributed to the formation of the oxygen deficiency centers, such as two-fold coordinated silicon. The new peak at 1,6 eV
M3 - статья
SP - 3
EP - 8
JO - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА
JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА
SN - 1561-5405
IS - 2
ER -
ID: 5250485