Standard

Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления. / Марков, К.Л.; Кукушкин, Сергей Арсеньевич; Смирнова, И. П.; Павлюченко, А. С.; Гращенко, Александр Сергеевич; Осипов, Андрей Викторович; Святец, Г. В.; Николаев, А. Е.; Сахаров, А. В.; Лундин, Всеволод Владимирович; Цацульников, А. Ф.

In: Письма в Журнал технической физики, Vol. 47, No. 18, 2021, p. 3-6.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Марков, КЛ, Кукушкин, СА, Смирнова, ИП, Павлюченко, АС, Гращенко, АС, Осипов, АВ, Святец, ГВ, Николаев, АЕ, Сахаров, АВ, Лундин, ВВ & Цацульников, АФ 2021, 'Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления', Письма в Журнал технической физики, vol. 47, no. 18, pp. 3-6. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877

APA

Марков, К. Л., Кукушкин, С. А., Смирнова, И. П., Павлюченко, А. С., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Святец, Г. В., Николаев, А. Е., Сахаров, А. В., Лундин, В. В., & Цацульников, А. Ф. (2021). Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления. Письма в Журнал технической физики, 47(18), 3-6. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877

Vancouver

Марков КЛ, Кукушкин СА, Смирнова ИП, Павлюченко АС, Гращенко АС, Осипов АВ et al. Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления. Письма в Журнал технической физики. 2021;47(18):3-6. https://doi.org/10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877

Author

Марков, К.Л. ; Кукушкин, Сергей Арсеньевич ; Смирнова, И. П. ; Павлюченко, А. С. ; Гращенко, Александр Сергеевич ; Осипов, Андрей Викторович ; Святец, Г. В. ; Николаев, А. Е. ; Сахаров, А. В. ; Лундин, Всеволод Владимирович ; Цацульников, А. Ф. / Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления. In: Письма в Журнал технической физики. 2021 ; Vol. 47, No. 18. pp. 3-6.

BibTeX

@article{760761d044c64e0b883e8cadf82b92a3,
title = "Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления",
abstract = "The technique and technology for fabricating both LED chips and packaged LEDs based on InGaN/GaN heterostructures grown on novel SiC/Si substrates synthesized by the method of matched atomic substitution have been described. The current-voltage characteristics, luminescence spectra, and the current dependences of output power and external quantum efficiency have been studied. It is shown that the presence of pores naturally formed in the SiC/Si substrate during its growth leads to a substantial increase in the quantum efficiency of LEDs in comparison with that of LEDs fabricated on silicon without a SiC sublayer.Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC. Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.",
author = "К.Л. Марков and Кукушкин, {Сергей Арсеньевич} and Смирнова, {И. П.} and Павлюченко, {А. С.} and Гращенко, {Александр Сергеевич} and Осипов, {Андрей Викторович} and Святец, {Г. В.} and Николаев, {А. Е.} and Сахаров, {А. В.} and Лундин, {Всеволод Владимирович} and Цацульников, {А. Ф.}",
year = "2021",
doi = "10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877",
language = "русский",
volume = "47",
pages = "3--6",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "18",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Светодиод на основе AlInGaN гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления

AU - Марков, К.Л.

AU - Кукушкин, Сергей Арсеньевич

AU - Смирнова, И. П.

AU - Павлюченко, А. С.

AU - Гращенко, Александр Сергеевич

AU - Осипов, Андрей Викторович

AU - Святец, Г. В.

AU - Николаев, А. Е.

AU - Сахаров, А. В.

AU - Лундин, Всеволод Владимирович

AU - Цацульников, А. Ф.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - The technique and technology for fabricating both LED chips and packaged LEDs based on InGaN/GaN heterostructures grown on novel SiC/Si substrates synthesized by the method of matched atomic substitution have been described. The current-voltage characteristics, luminescence spectra, and the current dependences of output power and external quantum efficiency have been studied. It is shown that the presence of pores naturally formed in the SiC/Si substrate during its growth leads to a substantial increase in the quantum efficiency of LEDs in comparison with that of LEDs fabricated on silicon without a SiC sublayer.Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC. Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.

AB - The technique and technology for fabricating both LED chips and packaged LEDs based on InGaN/GaN heterostructures grown on novel SiC/Si substrates synthesized by the method of matched atomic substitution have been described. The current-voltage characteristics, luminescence spectra, and the current dependences of output power and external quantum efficiency have been studied. It is shown that the presence of pores naturally formed in the SiC/Si substrate during its growth leads to a substantial increase in the quantum efficiency of LEDs in comparison with that of LEDs fabricated on silicon without a SiC sublayer.Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC. Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/43fdbcd7-dce5-34d6-a2a3-7cace39fdd72/

U2 - 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877

DO - 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877

M3 - статья

VL - 47

SP - 3

EP - 6

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 18

ER -

ID: 89125338