Исследован процесс интеркаляции атомов магнитного металла Co под буферный слой графена на 6H-SiC(0001), в результате
которого происходит трансформация буферного слоя в монослой графена. Показано, что полученный в результате интеркаляции квазисвободный графен находится на тонком слое кремния. Результаты данной работы являются основой для дальнейших
экспериментов по реализации магнитно-спин-орбитального графена