Standard

Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта. / Рыбкина, Анна Алексеевна; Фильнов, Сергей Олегович; Глазкова, Дарья Алексеевна; Тарасов, Артем Вячеславович; Ерыженков, Александр Владимирович; Шикин, Александр Михайлович; Рыбкин, Артем Геннадиевич.

Нанофизика и наноэлектроника : Труды XXV Международного симпозиума. Vol. 2 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2021. p. 828-829.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceedingConference contributionResearch

Harvard

Рыбкина, АА, Фильнов, СО, Глазкова, ДА, Тарасов, АВ, Ерыженков, АВ, Шикин, АМ & Рыбкин, АГ 2021, Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта. in Нанофизика и наноэлектроника : Труды XXV Международного симпозиума. vol. 2, Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, pp. 828-829, Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, Russian Federation, 9/03/21.

APA

Рыбкина, А. А., Фильнов, С. О., Глазкова, Д. А., Тарасов, А. В., Ерыженков, А. В., Шикин, А. М., & Рыбкин, А. Г. (2021). Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта. In Нанофизика и наноэлектроника : Труды XXV Международного симпозиума (Vol. 2, pp. 828-829). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского.

Vancouver

Рыбкина АА, Фильнов СО, Глазкова ДА, Тарасов АВ, Ерыженков АВ, Шикин АМ et al. Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта. In Нанофизика и наноэлектроника : Труды XXV Международного симпозиума. Vol. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. 2021. p. 828-829

Author

BibTeX

@inproceedings{f6314ce6ad2246f59a69dc6dbbd83010,
title = "Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта",
abstract = "Исследован процесс интеркаляции атомов магнитного металла Co под буферный слой графена на 6H-SiC(0001), в результатекоторого происходит трансформация буферного слоя в монослой графена. Показано, что полученный в результате интеркаляции квазисвободный графен находится на тонком слое кремния. Результаты данной работы являются основой для дальнейшихэкспериментов по реализации магнитно-спин-орбитального графена",
author = "Рыбкина, {Анна Алексеевна} and Фильнов, {Сергей Олегович} and Глазкова, {Дарья Алексеевна} and Тарасов, {Артем Вячеславович} and Ерыженков, {Александр Владимирович} and Шикин, {Александр Михайлович} and Рыбкин, {Артем Геннадиевич}",
year = "2021",
language = "русский",
volume = "2",
pages = "828--829",
booktitle = "Нанофизика и наноэлектроника",
publisher = "Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского",
address = "Российская Федерация",
note = "Нанофизика и наноэлектроника : XXV Международный симпозиум ; Conference date: 09-03-2021 Through 12-03-2021",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Трансформация буферного слоя в монослой графена на SiC(0001) посредством интеркаляции кобальта

AU - Рыбкина, Анна Алексеевна

AU - Фильнов, Сергей Олегович

AU - Глазкова, Дарья Алексеевна

AU - Тарасов, Артем Вячеславович

AU - Ерыженков, Александр Владимирович

AU - Шикин, Александр Михайлович

AU - Рыбкин, Артем Геннадиевич

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Исследован процесс интеркаляции атомов магнитного металла Co под буферный слой графена на 6H-SiC(0001), в результатекоторого происходит трансформация буферного слоя в монослой графена. Показано, что полученный в результате интеркаляции квазисвободный графен находится на тонком слое кремния. Результаты данной работы являются основой для дальнейшихэкспериментов по реализации магнитно-спин-орбитального графена

AB - Исследован процесс интеркаляции атомов магнитного металла Co под буферный слой графена на 6H-SiC(0001), в результатекоторого происходит трансформация буферного слоя в монослой графена. Показано, что полученный в результате интеркаляции квазисвободный графен находится на тонком слое кремния. Результаты данной работы являются основой для дальнейшихэкспериментов по реализации магнитно-спин-орбитального графена

M3 - статья в сборнике материалов конференции

VL - 2

SP - 828

EP - 829

BT - Нанофизика и наноэлектроника

PB - Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

CY - Нижний Новгород

T2 - Нанофизика и наноэлектроника

Y2 - 9 March 2021 through 12 March 2021

ER -

ID: 85634487