Standard

ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures. / Козлов, Глеб Геннадьевич; Капитонов, Юрий Владимирович; Долгих, Юрий Кузьмич; Ефимов, Юрий Петрович; Елисеев, Сергей Александрович; Овсянкин, Владимир Владимир; Петров, Владимир Владимирович.

In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, No. 1, 2009, p. 127-130.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Козлов, ГГ, Капитонов, ЮВ, Долгих, ЮК, Ефимов, ЮП, Елисеев, СА, Овсянкин, ВВ & Петров, ВВ 2009, 'ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures', ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, no. 1, pp. 127-130. <http://elibrary.ru/item.asp?id=12856157>

APA

Козлов, Г. Г., Капитонов, Ю. В., Долгих, Ю. К., Ефимов, Ю. П., Елисеев, С. А., Овсянкин, В. В., & Петров, В. В. (2009). ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, (1), 127-130. http://elibrary.ru/item.asp?id=12856157

Vancouver

Козлов ГГ, Капитонов ЮВ, Долгих ЮК, Ефимов ЮП, Елисеев СА, Овсянкин ВВ et al. ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2009;(1):127-130.

Author

Козлов, Глеб Геннадьевич ; Капитонов, Юрий Владимирович ; Долгих, Юрий Кузьмич ; Ефимов, Юрий Петрович ; Елисеев, Сергей Александрович ; Овсянкин, Владимир Владимир ; Петров, Владимир Владимирович. / ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures. In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2009 ; No. 1. pp. 127-130.

BibTeX

@article{f4b010e0710b42bab8b2c18a942b5454,
title = "ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures",
abstract = "Работа выполнена при поддержке International Science and Technology Center (проект № 2679). Описан простой метод визуализации неоднородности планарных порлупроводниковых МПЭ-структур на масштабах ~ 0, 1 мм. Метод основан на измерении распределения фото-эдс. при локальном освещении, не требует дорогостоящего оборудованияи отличается универсальностью. Библиогр. 2 назв. Ил. 2.A simple method for visualization of nonuniformity of planar MBE structure is proposed. The method is based on measuring the relief of the photo-EMF. The method can be applied to a wide variety of semiconductor structures and does not require any expensive equipment.",
author = "Козлов, {Глеб Геннадьевич} and Капитонов, {Юрий Владимирович} and Долгих, {Юрий Кузьмич} and Ефимов, {Юрий Петрович} and Елисеев, {Сергей Александрович} and Овсянкин, {Владимир Владимир} and Петров, {Владимир Владимирович}",
year = "2009",
language = "русский",
pages = "127--130",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ПРОСТОЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР Ovsyankin V. V. and Petrov V. V. A simple method for monitoring uniformity of epitaxial semiconductor structures

AU - Козлов, Глеб Геннадьевич

AU - Капитонов, Юрий Владимирович

AU - Долгих, Юрий Кузьмич

AU - Ефимов, Юрий Петрович

AU - Елисеев, Сергей Александрович

AU - Овсянкин, Владимир Владимир

AU - Петров, Владимир Владимирович

PY - 2009

Y1 - 2009

N2 - Работа выполнена при поддержке International Science and Technology Center (проект № 2679). Описан простой метод визуализации неоднородности планарных порлупроводниковых МПЭ-структур на масштабах ~ 0, 1 мм. Метод основан на измерении распределения фото-эдс. при локальном освещении, не требует дорогостоящего оборудованияи отличается универсальностью. Библиогр. 2 назв. Ил. 2.A simple method for visualization of nonuniformity of planar MBE structure is proposed. The method is based on measuring the relief of the photo-EMF. The method can be applied to a wide variety of semiconductor structures and does not require any expensive equipment.

AB - Работа выполнена при поддержке International Science and Technology Center (проект № 2679). Описан простой метод визуализации неоднородности планарных порлупроводниковых МПЭ-структур на масштабах ~ 0, 1 мм. Метод основан на измерении распределения фото-эдс. при локальном освещении, не требует дорогостоящего оборудованияи отличается универсальностью. Библиогр. 2 назв. Ил. 2.A simple method for visualization of nonuniformity of planar MBE structure is proposed. The method is based on measuring the relief of the photo-EMF. The method can be applied to a wide variety of semiconductor structures and does not require any expensive equipment.

M3 - статья

SP - 127

EP - 130

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 1

ER -

ID: 5236997