Работа выполнена при поддержке International Science and Technology Center (проект № 2679). Описан простой метод визуализации неоднородности планарных порлупроводниковых МПЭ-структур на масштабах ~ 0, 1 мм. Метод основан на измерении распределения фото-эдс. при локальном освещении, не требует дорогостоящего оборудованияи отличается универсальностью. Библиогр. 2 назв. Ил. 2.

A simple method for visualization of nonuniformity of planar MBE structure is proposed. The method is based on measuring the relief of the photo-EMF. The method can be applied to a wide variety of semiconductor structures and does not require any expensive equipment.