С помощью методики накачки-зондирования для квантовой ямы GaAs/AlGaAs шириной 14 нм проведено исследование динамики долгоживущих неизлучающих экситонов по их влиянию на уширение экситонных резонансов в спектрах отражения. Зависимости от мощности накачки демонстрируют сублинейный рост добавочного нерадиационного уширения. Проведенное моделирование показывает, что это можно объяснить уменьшением эффективности рассеяния светлых экситонов в долгоживущие состояния с ростом мощности накачки, а также повышением температуры этих состояний, что увеличивает вероятность распада экситонов на электроны и дырки и уменьшает сечение рассеяния экситонов.