Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › peer-review
Исследование динамики неизлучающих экситонов в квантовой яме GaAs/AlGaAs при различных мощностях накачки. / Михайлов, Андрей Валерьевич; Курдюбов, Андрей Сергеевич; Мурсалимов, Дамир Фаилевич; Трифонов, Артур Валерьевич; Герловин, Илья Яковлевич; Игнатьев, Иван Владимирович.
Нанофизика и наноэлектроника : Труды XXV Международного симпозиума. В 2 т.. Vol. 2 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2021. p. 760-761.Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › peer-review
}
TY - GEN
T1 - Исследование динамики неизлучающих экситонов в квантовой яме GaAs/AlGaAs при различных мощностях накачки
AU - Михайлов, Андрей Валерьевич
AU - Курдюбов, Андрей Сергеевич
AU - Мурсалимов, Дамир Фаилевич
AU - Трифонов, Артур Валерьевич
AU - Герловин, Илья Яковлевич
AU - Игнатьев, Иван Владимирович
N1 - Conference code: XXV
PY - 2021
Y1 - 2021
N2 - С помощью методики накачки-зондирования для квантовой ямы GaAs/AlGaAs шириной 14 нм проведено исследование динамики долгоживущих неизлучающих экситонов по их влиянию на уширение экситонных резонансов в спектрах отражения. Зависимости от мощности накачки демонстрируют сублинейный рост добавочного нерадиационного уширения. Проведенное моделирование показывает, что это можно объяснить уменьшением эффективности рассеяния светлых экситонов в долгоживущие состояния с ростом мощности накачки, а также повышением температуры этих состояний, что увеличивает вероятность распада экситонов на электроны и дырки и уменьшает сечение рассеяния экситонов.
AB - С помощью методики накачки-зондирования для квантовой ямы GaAs/AlGaAs шириной 14 нм проведено исследование динамики долгоживущих неизлучающих экситонов по их влиянию на уширение экситонных резонансов в спектрах отражения. Зависимости от мощности накачки демонстрируют сублинейный рост добавочного нерадиационного уширения. Проведенное моделирование показывает, что это можно объяснить уменьшением эффективности рассеяния светлых экситонов в долгоживущие состояния с ростом мощности накачки, а также повышением температуры этих состояний, что увеличивает вероятность распада экситонов на электроны и дырки и уменьшает сечение рассеяния экситонов.
UR - https://nanosymp.ru/ru/proceedings
M3 - статья в сборнике материалов конференции
VL - 2
SP - 760
EP - 761
BT - Нанофизика и наноэлектроника
PB - Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского
CY - Нижний Новгород
T2 - XXV международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
Y2 - 9 March 2021 through 12 March 2021
ER -
ID: 75129546