Standard

Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. / Пастор, А.А.; Сердобинцев, П.Ю.; Чалдышев, В.В.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 46, No. 5, 2012, p. 637-640.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Пастор, АА, Сердобинцев, ПЮ & Чалдышев, ВВ 2012, 'Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре.', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 46, no. 5, pp. 637-640.

APA

Пастор, А. А., Сердобинцев, П. Ю., & Чалдышев, В. В. (2012). Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 46(5), 637-640.

Vancouver

Пастор АА, Сердобинцев ПЮ, Чалдышев ВВ. Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2012;46(5):637-640.

Author

Пастор, А.А. ; Сердобинцев, П.Ю. ; Чалдышев, В.В. / Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2012 ; Vol. 46, No. 5. pp. 637-640.

BibTeX

@article{5ee8087312fc41508b662ffbba28dbbc,
title = "Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре.",
abstract = "Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.",
keywords = "Фемтосекундный лазер, квантовые точки, арсенид галлия с избыточным мышьяком, pump-probe.",
author = "А.А. Пастор and П.Ю. Сердобинцев and В.В. Чалдышев",
year = "2012",
language = "русский",
volume = "46",
pages = "637--640",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре.

AU - Пастор, А.А.

AU - Сердобинцев, П.Ю.

AU - Чалдышев, В.В.

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.

AB - Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.

KW - Фемтосекундный лазер

KW - квантовые точки

KW - арсенид галлия с избыточным мышьяком

KW - pump-probe.

M3 - статья

VL - 46

SP - 637

EP - 640

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -

ID: 5338961