Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.