Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре. / Пастор, А.А.; Сердобинцев, П.Ю.; Чалдышев, В.В.
в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 46, № 5, 2012, стр. 637-640.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Экспериментальное определение времени жизни носителей заряда в GaAs, выращенном при низкой температуре.
AU - Пастор, А.А.
AU - Сердобинцев, П.Ю.
AU - Чалдышев, В.В.
PY - 2012
Y1 - 2012
N2 - Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.
AB - Изучена динамика релаксации неравновесных носителей заряда в эпитаксиальных пленках арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре. Для исследования релаксации носителей заряда в фемтосекундном диапазоне разработана оригинальная система измерения динамического изменения коэффициента преломления света, основанная на методике pump-probe.
KW - Фемтосекундный лазер
KW - квантовые точки
KW - арсенид галлия с избыточным мышьяком
KW - pump-probe.
M3 - статья
VL - 46
SP - 637
EP - 640
JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SN - 0015-3222
IS - 5
ER -
ID: 5338961