Standard

Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ. / Петухов, А.Е.; Усачёв, Д.Ю.; Рыбкин, А.Г.; Шикин, А.М.

Нанофизика и наноэлектроника: Труды XX Международного симпозиума. В 2 т. . Vol. 1 Нижний-Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2016. p. 314-315.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research

Harvard

Петухов, АЕ, Усачёв, ДЮ, Рыбкин, АГ & Шикин, АМ 2016, Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ. in Нанофизика и наноэлектроника: Труды XX Международного симпозиума. В 2 т. . vol. 1, Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний-Новгород, pp. 314-315, XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, Russian Federation, 14/03/16. <http://nanosymp.ru/ru/archive>

APA

Петухов, А. Е., Усачёв, Д. Ю., Рыбкин, А. Г., & Шикин, А. М. (2016). Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ. In Нанофизика и наноэлектроника: Труды XX Международного симпозиума. В 2 т. (Vol. 1, pp. 314-315). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. http://nanosymp.ru/ru/archive

Vancouver

Петухов АЕ, Усачёв ДЮ, Рыбкин АГ, Шикин АМ. Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ. In Нанофизика и наноэлектроника: Труды XX Международного симпозиума. В 2 т. . Vol. 1. Нижний-Новгород: Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. 2016. p. 314-315

Author

Петухов, А.Е. ; Усачёв, Д.Ю. ; Рыбкин, А.Г. ; Шикин, А.М. / Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ. Нанофизика и наноэлектроника: Труды XX Международного симпозиума. В 2 т. . Vol. 1 Нижний-Новгород : Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2016. pp. 314-315

BibTeX

@inproceedings{38ec42994cdc4f1bafed2afd907208a0,
title = "Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ",
abstract = "Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована атомная и электронная структура наносистем на основе графена и топологических изоляторов. Показано, что применение метода CITS одновременно с записью STM-изображения позволяет сопоставлять с атомным латеральным разрешением структуру поверхности и локальную плотность электронных состояний вблизи уровня Ферми. Благодаря этому для систем с различными химическими атомами в кристаллической решетке удаѐтся добиться «химического контраста» между атомами разного сорта, что, в свою очередь, позволяет производить расширенный структурный анализ исследуемых образцов.",
author = "А.Е. Петухов and Д.Ю. Усачёв and А.Г. Рыбкин and А.М. Шикин",
year = "2016",
language = "русский",
isbn = "978-5-91326-378-0",
volume = "1",
pages = "314--315",
booktitle = "Нанофизика и наноэлектроника",
publisher = "Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского",
address = "Российская Федерация",
note = "XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» ; Conference date: 14-03-2016 Through 18-03-2016",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Расширение возможностей детализации локальной атомной структуры наносистем на основе графена и топологических изоляторов методом СЗМ

AU - Петухов, А.Е.

AU - Усачёв, Д.Ю.

AU - Рыбкин, А.Г.

AU - Шикин, А.М.

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована атомная и электронная структура наносистем на основе графена и топологических изоляторов. Показано, что применение метода CITS одновременно с записью STM-изображения позволяет сопоставлять с атомным латеральным разрешением структуру поверхности и локальную плотность электронных состояний вблизи уровня Ферми. Благодаря этому для систем с различными химическими атомами в кристаллической решетке удаѐтся добиться «химического контраста» между атомами разного сорта, что, в свою очередь, позволяет производить расширенный структурный анализ исследуемых образцов.

AB - Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована атомная и электронная структура наносистем на основе графена и топологических изоляторов. Показано, что применение метода CITS одновременно с записью STM-изображения позволяет сопоставлять с атомным латеральным разрешением структуру поверхности и локальную плотность электронных состояний вблизи уровня Ферми. Благодаря этому для систем с различными химическими атомами в кристаллической решетке удаѐтся добиться «химического контраста» между атомами разного сорта, что, в свою очередь, позволяет производить расширенный структурный анализ исследуемых образцов.

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SN - 978-5-91326-378-0

VL - 1

SP - 314

EP - 315

BT - Нанофизика и наноэлектроника

PB - Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского

CY - Нижний-Новгород

T2 - XX Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»

Y2 - 14 March 2016 through 18 March 2016

ER -

ID: 7629958