Методами сканирующей зондовой микроскопии исследована атомная и электронная структура наносистем на основе графена и топологических изоляторов. Показано, что применение метода CITS одновременно с записью STM-изображения позволяет сопоставлять с атомным латеральным разрешением структуру поверхности и локальную плотность электронных состояний вблизи уровня Ферми. Благодаря этому для систем с различными химическими атомами в кристаллической решетке удаѐтся добиться «химического контраста» между атомами разного сорта, что, в свою очередь, позволяет производить расширенный структурный анализ исследуемых образцов.