Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения.
