Standard

Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении. / Чукеев, Максим Александрович; Храмцов, Евгений Сергеевич; Чжэн, Шимин; Игнатьев, Иван Владимирович; Елисеев, Сергей Алексеевич; Ефимов, Юрий Петрович.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 57, No. 6, 22.10.2023, p. 461-468.

Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Harvard

Чукеев, МА, Храмцов, ЕС, Чжэн, Ш, Игнатьев, ИВ, Елисеев, СА & Ефимов, ЮП 2023, 'Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 57, no. 6, pp. 461-468. https://doi.org/10.21883/FTP.2023.06.56475.43k

APA

Чукеев, М. А., Храмцов, Е. С., Чжэн, Ш., Игнатьев, И. В., Елисеев, С. А., & Ефимов, Ю. П. (2023). Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 57(6), 461-468. https://doi.org/10.21883/FTP.2023.06.56475.43k

Vancouver

Чукеев МА, Храмцов ЕС, Чжэн Ш, Игнатьев ИВ, Елисеев СА, Ефимов ЮП. Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2023 Oct 22;57(6):461-468. https://doi.org/10.21883/FTP.2023.06.56475.43k

Author

Чукеев, Максим Александрович ; Храмцов, Евгений Сергеевич ; Чжэн, Шимин ; Игнатьев, Иван Владимирович ; Елисеев, Сергей Алексеевич ; Ефимов, Юрий Петрович. / Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2023 ; Vol. 57, No. 6. pp. 461-468.

BibTeX

@article{8d2f8473a3114f7ca9eccc28f6e166f2,
title = "Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении",
abstract = "Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения.",
author = "Чукеев, {Максим Александрович} and Храмцов, {Евгений Сергеевич} and Шимин Чжэн and Игнатьев, {Иван Владимирович} and Елисеев, {Сергей Алексеевич} and Ефимов, {Юрий Петрович}",
year = "2023",
month = oct,
day = "22",
doi = "10.21883/FTP.2023.06.56475.43k",
language = "русский",
volume = "57",
pages = "461--468",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние электрического поля на экситоны в квантовой яме при дополнительном оптическом возбуждении

AU - Чукеев, Максим Александрович

AU - Храмцов, Евгений Сергеевич

AU - Чжэн, Шимин

AU - Игнатьев, Иван Владимирович

AU - Елисеев, Сергей Алексеевич

AU - Ефимов, Юрий Петрович

PY - 2023/10/22

Y1 - 2023/10/22

N2 - Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения.

AB - Исследованы спектры отражения гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/AlGaAs шириной 30 нм при дополнительном оптическом возбуждении во внешнем электрическом поле. Изучено влияние электрического поля на все параметры резонансов легких и тяжелых экситонов при селективном возбуждении различных оптических переходов. Обнаружен эффект диполь-дипольного взаимодействия экситонов, компенсирующего эффект Штарка при возбуждении в основное экситонное состояние КЯ. Обнаружено резкое увеличение штарковского сдвига экситонов в КЯ при оптическом возбуждении носителей заряда в буферном слое GaAs. Выполнен микроскопический расчет экситонных состояний в различных электрических полях. Сравнение рассчитанного и измеренного штарковского сдвига тяжелого экситона использовано для получения зависимости величины напряженности электрического поля в КЯ от приложенного напряжения.

U2 - 10.21883/FTP.2023.06.56475.43k

DO - 10.21883/FTP.2023.06.56475.43k

M3 - статья в журнале по материалам конференции

VL - 57

SP - 461

EP - 468

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 6

ER -

ID: 113574582