Standard

Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. / Чарная, Елена Владимировна; Барышников, Сергей Васильевич.

In: Наноиндустрия, Vol. 13, No. 4s, 2020, p. 609-610.

Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

Harvard

Чарная, ЕВ & Барышников, СВ 2020, 'Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами', Наноиндустрия, vol. 13, no. 4s, pp. 609-610. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

APA

Чарная, Е. В., & Барышников, С. В. (2020). Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. Наноиндустрия, 13(4s), 609-610. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

Vancouver

Чарная ЕВ, Барышников СВ. Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. Наноиндустрия. 2020;13(4s):609-610. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

Author

Чарная, Елена Владимировна ; Барышников, Сергей Васильевич. / Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. In: Наноиндустрия. 2020 ; Vol. 13, No. 4s. pp. 609-610.

BibTeX

@article{dbb2c7b32adf48b7ade7816665e0cd95,
title = "Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами",
author = "Чарная, {Елена Владимировна} and Барышников, {Сергей Васильевич}",
year = "2020",
doi = "10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610",
language = "русский",
volume = "13",
pages = "609--610",
journal = "Наноиндустрия",
issn = "1993-8578",
publisher = "Техносфера",
number = "4s",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами

AU - Чарная, Елена Владимировна

AU - Барышников, Сергей Васильевич

PY - 2020

Y1 - 2020

U2 - 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

DO - 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

M3 - статья в журнале по материалам конференции

VL - 13

SP - 609

EP - 610

JO - Наноиндустрия

JF - Наноиндустрия

SN - 1993-8578

IS - 4s

ER -

ID: 73468250