Standard

Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. / Чарная, Елена Владимировна; Барышников, Сергей Васильевич.

в: Наноиндустрия, Том 13, № 4s, 2020, стр. 609-610.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья в журнале по материалам конференцииРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

Чарная, Елена Владимировна ; Барышников, Сергей Васильевич. / Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами. в: Наноиндустрия. 2020 ; Том 13, № 4s. стр. 609-610.

BibTeX

@article{dbb2c7b32adf48b7ade7816665e0cd95,
title = "Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами",
author = "Чарная, {Елена Владимировна} and Барышников, {Сергей Васильевич}",
year = "2020",
doi = "10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610",
language = "русский",
volume = "13",
pages = "609--610",
journal = "Наноиндустрия",
issn = "1993-8578",
publisher = "Техносфера",
number = "4s",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Мемристорные элементы с сегнетоэлектрическими нанокомпозиционными компонентами

AU - Чарная, Елена Владимировна

AU - Барышников, Сергей Васильевич

PY - 2020

Y1 - 2020

U2 - 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

DO - 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.609.610

M3 - статья в журнале по материалам конференции

VL - 13

SP - 609

EP - 610

JO - Наноиндустрия

JF - Наноиндустрия

SN - 1993-8578

IS - 4s

ER -

ID: 73468250