111 - 114 out of 114Page size: 10
  1. 1995

  2. New luminescence band in II-VI semiconductor crys-stals with treated surfaces

    Verbin, S. Y., Hellmann, R., Baranovskii, S. D., Ruckes, K., Grigorev, S. R., Novikov, B. V., Gobel, E. O. & Thomas, P., 1995, In: Materials Science Forum. 182-184, p. 279-282

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 1993

  4. Photoluminescence of Degenerate Electron Gas in GaAs:Si Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy Semiconductors

    Abramov, A. P., Abramova, I. N., Verbin, S. Y., Gerlovin, I. Y., Grigorev, S. R., Ignatev, I. V., Karimov, O. Z., Novikov, A. B. & Novikov, B. N., 1993, In: Semiconductors. 27, 7, p. 647-649

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, p. 1175-1179

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. 1989

  7. Фотостимулированный рост новой фазы в ионных кристаллах

    Бармасов, А. В., Гайсин, В. А., Картужанский, А. Л., Кудряшова, Л. К., Новиков, Б. В. & Резников, В. А., 1989, p. 167-169. 3 p.

    Research output: Contribution to conference › Abstract › peer-review

Previous 1...8 9 10 11 12 Next

ID: 208759