111 - 113 из 113Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1993

  2. Photoluminescence of Degenerate Electron Gas in GaAs:Si Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy Semiconductors

    Abramov, A. P., Abramova, I. N., Verbin, S. Y., Gerlovin, I. Y., Grigorev, S. R., Ignatev, I. V., Karimov, O. Z., Novikov, A. B. & Novikov, B. N., 1993, в: Semiconductors. 27, 7, стр. 647-649

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, стр. 1175-1179

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 1989

  5. Фотостимулированный рост новой фазы в ионных кристаллах

    Бармасов, А. В., Гайсин, В. А., Картужанский, А. Л., Кудряшова, Л. К., Новиков, Б. В. & Резников, В. А., 1989, стр. 167-169. 3 стр.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

Назад 1...8 9 10 11 12 Далее

ID: 208759