Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Original language	Undefined
Pages (from-to)	1175-1179
Journal	ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Volume	27
Issue number	7
State	Published - 1993

ID: 5326962