1. 1993
  2. Локальная динамика решетки кристаллов BaF2:Sm2+ и BaF2:Tm2+

    Игнатьев, И. В. & Овсянкин, В. В., 1993, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 35, 7, p. 2011-2024

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  3. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, p. 1175-1179

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  4. 1992
  5. Влияние беспорядка в кислородной подрешетке на спектры комбинационного рассеяния кристаллов YBa2Cu3Ox. Эксперимент и расчет

    Белоусов, М. В., Игнатьев, И. В., Орехова, Н. В. & Давыдов, В. Ю., 1992, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 34, 9, p. 2804-2813

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

  6. 1990
  7. Новые параметры моделей динамики решетки кристаллов CaF2, SrF2 и BaF2

    Игнатьев, И. В. & Овсянкин, В. В., 1990, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 32, 9, p. 2698-2704

    Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Previous 1...11 12 13 14 15 Next

ID: 209484