141 - 150 из 152Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1997

  2. Electron-vibrational shift of f-levels in CaF2 and SrF2 crystals with Tm2+ ions

    Ignat'ev, I. V. & Ovsyankin, V. V., 1997, в: Journal of Luminescence. 72-74, стр. 679-680

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

  3. 1996

  4. Electron-vibrational suppression of magnetic-dipole electronic transitions in MeF2:Tm2+ crystals

    Ignatev, I. V. & Ovsyankin, V. V., 1996, в: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2706, стр. 142-148

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Нелинейная люминесценция и динамическое уширение экситонных линий GaAs/AlGaAs-структур при стационарном оптическом возбуждении

    Абрамова, И. Н., Герловин, И. Я., Долгих, Ю. К., Елисеев, С. А., Овсянкин, В. В., Ефимов, Ю. П., Игнатьев, И. В., Петров, В. В. & Шабанов, С. В., 1996, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 38, 3, стр. 786-791

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Спектры электронно-колебательных f-f-переходов в кристаллах CaF2-Tm2+ and SrF2-Tm2+

    Игнатьев, И. В. & Овсянкин, В. В., 1996, в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 81, 1, стр. 79-94

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 1994

  8. Диаграмма направленности эффузионной ячейки с соплом различной конфигурации

    Озолова, Е. В., Игнатьев, И. В. & Абрамов, А. П., 1994, в: ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ. 64, 9, стр. 178-185

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Магнитный циркулярный дихроизм кристалла CaF2:Tm2+ в области вибронных f-f-переходов

    Игнатьев, И. В. & Овсянкин, В. В., 1994, в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 76, 6, стр. 862-867

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. 1993

  11. Photoluminescence of Degenerate Electron Gas in GaAs:Si Layers Grown by Molecular-Beam Epitaxy Semiconductors

    Abramov, A. P., Abramova, I. N., Verbin, S. Y., Gerlovin, I. Y., Grigorev, S. R., Ignatev, I. V., Karimov, O. Z., Novikov, A. B. & Novikov, B. N., 1993, в: Semiconductors. 27, 7, стр. 647-649

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Локальная динамика решетки кристаллов BaF2:Sm2+ и BaF2:Tm2+

    Игнатьев, И. В. & Овсянкин, В. В., 1993, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 35, 7, стр. 2011-2024

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Локальная динамика решетки кристаллов типа флюорита с примесями замещения в рамках оболочечной модели

    Игнатьев, И. В., 1993, в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 35, 7, стр. 1996-2010

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

    Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б. & Новиков, Б. В., 1993, в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 27, 7, стр. 1175-1179

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 16 Далее

ID: 209484