681 - 690 out of 1,308Page size: 10
  1. 2017

  2. Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

    Серов, А. Ю., Агекян, В. Ф., Философов, Н. Г. & Борисов, Е. В., 1 Dec 2017, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, p. 2392-2395 4 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. Динамический сдвиг линий ЯМР в наноструктурированном расплаве Ga−In−Sn

    Усков, А. В., Нефедов, Д. Ю., Чарная, Е. В., Подорожкин, Д. Ю., Антоненко, А. О., Haase, J., Michel, D., Lee, M. K., Chang, L. J., Кумзеров, Ю. А., Фокин, А. В. & Бугаев, А. С., Dec 2017, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, p. 2452-2456 5 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  4. Исследования топологического изолятора Bi2Te3 методом ЯМР в широком температурном диапазоне

    Антоненко, А. О., Чарная, Е. В., Нефедов, Д. Ю., Подорожкин, Д. Ю., Усков, А. В., Бугаев, А. С., M.K., L., Chang, L. J., Наумов, С. В., Перевозчикова, Ю. А., Чистяков, В. В., Huang, J. C. A. & Марченков, В. В., Dec 2017, In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 59, 12, p. 2308-2316 9 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  5. The dependence of the wavelength on MBE growth parameters of GaAs quantum dot in AlGaAs NWs on Si (111) substrate

    Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P. & Cirlin, G. E., 27 Nov 2017, In: Journal of Physics: Conference Series. 929, 1, 012047.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  6. MBE growth and optical properties of GaN layers on SiC/Si(111) hybrid substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Nikitina, E. V. & Cirlin, G. E., 23 Nov 2017, In: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032014.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  7. MBE growth of GaAs and InAs nanowires using colloidal Ag nanoparticles

    Ilkiv, I. V., Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Bouravleuv, A. D. & Cirlin, G. E., 23 Nov 2017, In: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032035.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  8. Modeling of semiconductor nanowire selective-area MOCVD growth

    Koriakin, A. A., Reiter, M., Sokolova, Z. V. & Sibirev, N. V., 23 Nov 2017, In: Journal of Physics: Conference Series. 917, 3, 032036.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. AlGaAs and AlGaAs/GaAs/AlGaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy on silicon substrates

    Cirlin, G. E., Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Khrebtov, A. I., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Leandro, L., Kasama, T. & Akopian, N., 8 Nov 2017, In: Journal of Physics D: Applied Physics. 50, 48, 484003.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  10. MBE growth of ultrathin III–V nanowires on a highly mismatched SiC/Si(111) substrate

    Reznik, R. R., Kotlyar, K. P., Shtrom, I. V., Soshnikov, I. P., Kukushkin, S. A., Osipov, A. V. & Cirlin, G. E., 1 Nov 2017, In: Semiconductors. 51, 11, p. 1472-1476 5 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. Understanding the composition of ternary III-V nanowires and axial nanowire heterostructures in nucleation-limited regime

    Dubrovskii, V. G., Koryakin, A. A. & Sibirev, N. V., 15 Oct 2017, In: Materials and Design. 132, p. 400-408 9 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1...65 66 67 68 69 70 71 72 ...131 Next

ID: 31015