Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
The process of current transfer in thermally oxidized porous silicon has been studied. A model based on the combination of hopping and tunneling mechanisms of charge transport is proposed. The concentration of charge traps and the mobility of charge carriers are evaluated using the current-voltage characteristics measured at 100 and 300 K.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 750-753 |
Число страниц | 4 |
Журнал | Technical Physics Letters |
Том | 32 |
Номер выпуска | 9 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - сен 2006 |
ID: 86118350