Документы

DOI

  • Николай Владимирович Базлов
  • Александр Дербин
  • Илья Драчнев
  • Ирина Котина
  • Олег Коньков
  • Ирина Ломская
  • Максим Микулич
  • Валентина Муратова
  • Дмитрий Семенов
  • Максим Трушин
  • Евгений Унжаков
The influence of the prolonged irradiation by fission products of 252Cf radionuclide
on the operational parameters of silicon-lithium Si(Li) p-i-n detectors, Si surface barrier
detectors and Si planar p+n detector was investigated. The obtained results revealed a linear
shift of the fission fragment peaks positions towards the lower energies with increase of the
irradiation dose for all investigated detectors. The rate of the peaks shift was found to depend
strongly on the detector type and the strength of the electric field in the detector’s active region,
but not on the temperature of irradiation (room or liquid nitrogen temperature). Based on the
obtained results, the possibility of integration of the investigated types of Si semiconductor
detectors in a radionuclide neutron calibration source is considered.
Переведенное названиеРадиационная стойкость кремниевых полупроводниковых детекторов при облучении продуктами деления радионуклида 252Cf
Язык оригиналаанглийский
Страницы (с-по)287-294
Число страниц8
ЖурналНАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ВЕДОМОСТИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО ПОЛИТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИ
Том16
Номер выпуска1.2
DOI
СостояниеОпубликовано - 2023
СобытиеPhysicA.SPb/2022 - Санкт-Петербург, Российская Федерация
Продолжительность: 17 окт 202221 окт 2022
https://physica.spb.ru/

ID: 132389832