Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья в журнале по материалам конференции › Рецензирование
We report an observation of the optical polarization of hole spins in the negatively charged self-assembled InAs/GaAs quantum dots when the dot is occupied by 2 or 5 electrons on average. It was found that the spin relaxation time of holes is comparable with their lifetime. It was demonstrated that the hole spin polarization can be destroyed by both the transverse magnetic field (the Hanle effect) and the electric bias.
Язык оригинала | английский |
---|---|
Страницы (с-по) | 1018-1021 |
Число страниц | 4 |
Журнал | Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures |
Том | 21 |
Номер выпуска | 2-4 |
DOI | |
Состояние | Опубликовано - 1 мар 2004 |
Опубликовано для внешнего пользования | Да |
Событие | Proceedings of the Eleventh International Conference on Modulation (MSS11) - Nara, Япония Продолжительность: 14 июл 2003 → 18 июл 2003 |
ID: 39912599