Standard

«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». / Reznik, R.R.; Shtrom, I.V.; Samsonenko, Yu.B.; Khrebtov, A.I.; Bourauvlev, A.D.; Soshnikov, I.P.; Kryzhanovskaya, N.V.; Cirlin, G.E.

«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». 2015. стр. 012003.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › Рецензирование

Harvard

Reznik, RR, Shtrom, IV, Samsonenko, YB, Khrebtov, AI, Bourauvlev, AD, Soshnikov, IP, Kryzhanovskaya, NV & Cirlin, GE 2015, «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». в «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». стр. 012003. https://doi.org/10.1088/1742-6596/643/1/012003

APA

Reznik, R. R., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B., Khrebtov, A. I., Bourauvlev, A. D., Soshnikov, I. P., Kryzhanovskaya, N. V., & Cirlin, G. E. (2015). «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». в «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime» (стр. 012003) https://doi.org/10.1088/1742-6596/643/1/012003

Vancouver

Reznik RR, Shtrom IV, Samsonenko YB, Khrebtov AI, Bourauvlev AD, Soshnikov IP и пр. «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». в «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». 2015. стр. 012003 https://doi.org/10.1088/1742-6596/643/1/012003

Author

Reznik, R.R. ; Shtrom, I.V. ; Samsonenko, Yu.B. ; Khrebtov, A.I. ; Bourauvlev, A.D. ; Soshnikov, I.P. ; Kryzhanovskaya, N.V. ; Cirlin, G.E. / «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime». 2015. стр. 012003

BibTeX

@inproceedings{56519fc1369a42c9bb510ef25aa2d7ce,
title = "«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»",
abstract = "Используя двухтемнературный режим роста нам удалось вырастить заостренные нанонити на основе GaAs на кремниевой подложке и исследовать их оптические спектры. Оказалось, что от такого массива нанинитей можно наблюдать спектры фотолюминесценции вплоть до комнатной температуры. Спектры фотолюминесценции при низкой температуре состоят из узких полос, соответствующих связанным с поверхностью электронными состояния и связанными на примесях экситонами. После обработки толуолом, тонкая структура в спектрах исчезала.",
author = "R.R. Reznik and I.V. Shtrom and Yu.B. Samsonenko and A.I. Khrebtov and A.D. Bourauvlev and I.P. Soshnikov and N.V. Kryzhanovskaya and G.E. Cirlin",
year = "2015",
doi = "10.1088/1742-6596/643/1/012003",
language = "English",
pages = "012003",
booktitle = "«MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»",

}

RIS

TY - GEN

T1 - «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»

AU - Reznik, R.R.

AU - Shtrom, I.V.

AU - Samsonenko, Yu.B.

AU - Khrebtov, A.I.

AU - Bourauvlev, A.D.

AU - Soshnikov, I.P.

AU - Kryzhanovskaya, N.V.

AU - Cirlin, G.E.

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Используя двухтемнературный режим роста нам удалось вырастить заостренные нанонити на основе GaAs на кремниевой подложке и исследовать их оптические спектры. Оказалось, что от такого массива нанинитей можно наблюдать спектры фотолюминесценции вплоть до комнатной температуры. Спектры фотолюминесценции при низкой температуре состоят из узких полос, соответствующих связанным с поверхностью электронными состояния и связанными на примесях экситонами. После обработки толуолом, тонкая структура в спектрах исчезала.

AB - Используя двухтемнературный режим роста нам удалось вырастить заостренные нанонити на основе GaAs на кремниевой подложке и исследовать их оптические спектры. Оказалось, что от такого массива нанинитей можно наблюдать спектры фотолюминесценции вплоть до комнатной температуры. Спектры фотолюминесценции при низкой температуре состоят из узких полос, соответствующих связанным с поверхностью электронными состояния и связанными на примесях экситонами. После обработки толуолом, тонкая структура в спектрах исчезала.

U2 - 10.1088/1742-6596/643/1/012003

DO - 10.1088/1742-6596/643/1/012003

M3 - Conference contribution

SP - 012003

BT - «MBE growth and optical properties of GaAs nanowires grown on Si(111) substrate using two-temperature steps regime»

ER -

ID: 3983391