Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Features of the Ga 2O 3 Layers Synthesized on Silicon by Molecular Layering. / Дмитриев, Валентин Александрович; Дрозд, Арсений Викторович; Барабан, Александр Петрович; Габис, Игорь Евгеньевич; Мошников, В. А.
в: Crystallography Reports, Том 69, № 7, 1, 29.11.2024.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - Features of the Ga 2O 3 Layers Synthesized on Silicon by Molecular Layering
AU - Дмитриев, Валентин Александрович
AU - Дрозд, Арсений Викторович
AU - Барабан, Александр Петрович
AU - Габис, Игорь Евгеньевич
AU - Мошников, В. А.
PY - 2024/11/29
Y1 - 2024/11/29
U2 - 10.1134/S1063774524602107
DO - 10.1134/S1063774524602107
M3 - Article
VL - 69
JO - Crystallography Reports
JF - Crystallography Reports
SN - 1063-7745
IS - 7
M1 - 1
ER -
ID: 127777059