Standard

Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении. / Иванов, В. А.; Петровская, А. С.; Скобло, Ю. Э.

в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, Том 114, № 5, 2013, стр. 750-758.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Иванов, ВА, Петровская, АС & Скобло, ЮЭ 2013, 'Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении', ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, Том. 114, № 5, стр. 750-758.

APA

Иванов, В. А., Петровская, А. С., & Скобло, Ю. Э. (2013). Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении. ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, 114(5), 750-758.

Vancouver

Иванов ВА, Петровская АС, Скобло ЮЭ. Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении. ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 2013;114(5):750-758.

Author

Иванов, В. А. ; Петровская, А. С. ; Скобло, Ю. Э. / Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении. в: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 2013 ; Том 114, № 5. стр. 750-758.

BibTeX

@article{7d424900abc648f0a75432e5f3ae736e,
title = "Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении",
abstract = "Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.",
keywords = "физика плазмы, диссоциативная рекомбинация, передача возбуждения, интенсивности спектральных линий, возбужденные атомные состояния, послесвечение плазмы импульсного разряда",
author = "Иванов, {В. А.} and Петровская, {А. С.} and Скобло, {Ю. Э.}",
year = "2013",
language = "не определен",
volume = "114",
pages = "750--758",
journal = "ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ",
issn = "0030-4034",
publisher = "Международная книга",
number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении

AU - Иванов, В. А.

AU - Петровская, А. С.

AU - Скобло, Ю. Э.

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.

AB - Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.

KW - физика плазмы

KW - диссоциативная рекомбинация

KW - передача возбуждения

KW - интенсивности спектральных линий

KW - возбужденные атомные состояния

KW - послесвечение плазмы импульсного разряда

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=18950973

M3 - статья

VL - 114

SP - 750

EP - 758

JO - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

JF - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

SN - 0030-4034

IS - 5

ER -

ID: 5642657