Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении. / Иванов, В. А.; Петровская, А. С.; Скобло, Ю. Э.
In: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, Vol. 114, No. 5, 2013, p. 750-758.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Заселение 2p55s – уровней атома неона в плазме смеси He-Ne. 1. Эволюция механизмов в разряде и послесвечении
AU - Иванов, В. А.
AU - Петровская, А. С.
AU - Скобло, Ю. Э.
PY - 2013
Y1 - 2013
N2 - Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.
AB - Проведено спектроскопическое исследование процессов заселения возбужденных состояний атома неона 2p55s конфигурации в плазме послесвечения импульсного разряда в гелии с малой примесью неона (давление 38.1 мм рт. ст.;[He]/[Ne]=10^5 ). Установлено, что в фазе разряда и в начальной фазе послесвечения основным механизмом заселения уровня 3s2 (по Пашену) является передача возбуждения от метастабильных атомов гелия He(21S0). Остальные три уровня 3s3, 3s4, 3s5, соответствующие 2p55s конфигурации, заселяются в послесвечении в результате диссоциативной рекомбинации ионов HeNe+ с электронами. Этот же процесс является основным источником заселения уровня 3s2 в поздней фазе послесвечения, когда мала концентрация атомов He(21S0). Рекомбинационный механизм заселения в стадии распада плазмы подтвержден наблюдением реакции интенсивностей линий на импульсный нагрев электронов. Получены оценки парциальных коэффициентов диссоциативной рекомбинации, отвечающих образованию атомов неона конфигурации 2p55s.
KW - физика плазмы
KW - диссоциативная рекомбинация
KW - передача возбуждения
KW - интенсивности спектральных линий
KW - возбужденные атомные состояния
KW - послесвечение плазмы импульсного разряда
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=18950973
M3 - статья
VL - 114
SP - 750
EP - 758
JO - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ
JF - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ
SN - 0030-4034
IS - 5
ER -
ID: 5642657